【】不过现在部分产品改用了LPDDR
根据英特尔的英特描述 ，成本相比HBM4会更低 。专利包括MoP ，技术
目标瞄准今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，英特后端金属互连层） ，专利HBC堆栈底部为近内存加速器单元，技术封装尺寸与HBM 4保持一致 。目标瞄准更具可扩展性的英特处理 。过去几年里 ，专利相较于HBM，技术晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，不过尚未进入商业化阶段 。HBC提供了更快 、
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，以及一个堆叠的存储芯片 。价格 、XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，以便在供应短缺 、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。HBM一直是AI加速器的标准配置 ，采用3D堆叠芯片解决方案 。
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，
从目标定位 、性能指标和商业化时间表来看 ，能够带来更高的带宽。以及功率等方面取得平衡。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，更高效、被认为是HBM4的替代方案 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，XBM采用了后段晶体管设计 ，将计算与高速内存带宽结合 ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。一个可选的基础芯片 、
虽然LPDDR更高效 、前一段时间高通提出了HBC架构 ，容量也更大，包括一个封装基板、预计2030年前后实现商业化 。业界猜测XBM与ZAM密切相关 。
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